直流穩(wěn)壓電源“關(guān)鍵元器件”的電壓應(yīng)力分析！
2018-5-9 15:26:40??????點擊：
設(shè)定一下直流穩(wěn)壓電源主要參數(shù)如下：
輸入電壓：Vin=AC176-264V
輸出電壓：Vout=12V
Vcc電壓：Vcc=15V
變壓器匝比：N
下面對上述圖片中的各個元器件進行應(yīng)力計算。
1、整流橋BR1
整流橋如上圖體內(nèi)由4個二極管構(gòu)成：d1，d2，d3，d4
應(yīng)最惡劣的情況下是在輸入電壓最高的時候，即，Vin=264Vac
所以C1上兩端的電壓373V。
輸入電壓波形如下圖
當(dāng)輸入電壓處于正半周時，BR1體內(nèi)二極管d1和d4導(dǎo)通不承受高電壓，d2和d3截止承受的高電壓，d2電壓應(yīng)力為b點電位減去c點電位，d3電壓應(yīng)力為a點電位減去d點電位。
正半周a、b、c、d點的電位相對于大電容地分別為：373V、373V、0V、0V
d2應(yīng)力=b-c=373V-0V=373V
d3應(yīng)力=a-d=373V-0V=373V
輸入電壓進入負(fù)半周時同理可得d1和d4的應(yīng)力為373V。
即整流橋BR1的工作應(yīng)力為373V
由于開關(guān)電源需要做雷擊浪涌試驗，所以一般整流橋都選擇1000V的整流橋。
2、輸入大電容C1
C1上的電壓應(yīng)力為輸入最高電壓264V交流電壓整流后的電壓。
所以C1的工作電壓應(yīng)力為：
264×1.414=373V
所以輸入電解電容C1一般選擇耐壓值為400V的電容。
3.開關(guān)mos管Q1
當(dāng)開關(guān)MOS管Q1開通時，Q1不承受大電壓。
當(dāng)開關(guān)MOS管Q1管關(guān)時，Q1承受大電壓應(yīng)力。
MOS管電壓應(yīng)力為：最高輸入電壓+反射電壓+漏感產(chǎn)生的尖峰電壓。
反射電壓一般為：60-120V
最高輸入電壓：373V
漏感尖峰電壓一般為：100左右
所以反激開關(guān)電壓開關(guān)管Q1的工作電壓應(yīng)力為：373+120+100=593V左右
留一定的余量一般選650V左右的MOS管
4.鉗位電路D1、R1、C2
當(dāng)Q1關(guān)斷時，鉗位二極管D1導(dǎo)通，向C2充電，C2兩端的充電電壓為Np兩端的電壓為：
反射電壓+尖峰電壓
假設(shè)反射電壓為：120V
尖峰電壓為：100V
則C2兩端的電壓為220V，上負(fù)下正。
C2下方的電位為：373+220=593V
C2下方宇D1負(fù)極相連，相當(dāng)于D1負(fù)極的電位也為593V左右，并且C2電容上電壓不能突變，所以D1負(fù)極電位相對文檔在593V左右。
當(dāng)Q1導(dǎo)通時，D1正極的電位此時為0V。
所以D1的應(yīng)力為負(fù)極電位減去正極電位為：593V
C2上方的電位為373V的恒定值
所以C2的電壓應(yīng)力為：593-373=220V左右
R1和C2為并聯(lián)，所以R1電壓應(yīng)力為220V左右
5、Vcc整流二極管D2
Vcc電壓為15V，反射電壓若為120V時，原邊主繞組與Vcc繞組的匝比為120÷15=8.
當(dāng)Q1關(guān)斷時，D2是導(dǎo)通的，此時D2不承受大電壓就一個二極管壓降。
當(dāng)Q1導(dǎo)通時，D2正極的電位為為負(fù)，數(shù)值為-（373÷8）=-46.625V。此時D2承受的電壓應(yīng)力為15-46.625=61.625
所以Vcc整流二極管D2的應(yīng)力大概為：62V左右。
留些余量一般D2選耐壓值為100V左右的二極管。
6、輸出整流二極管及電容D3、C3
輸出電壓為12V，反射電壓若為120V時，原邊主繞組與輸出繞組的匝比為120÷12=10.
當(dāng)Q1關(guān)斷時，D3是導(dǎo)通的，此時D3不承受大電壓就一個二極管壓降。
當(dāng)Q1導(dǎo)通時，D3正極的電位為為負(fù)，數(shù)值為-（373÷10）=-37.3V。此時D2承受的電壓應(yīng)力為15-37.3=52.3
所以Vcc整流二極管D3的應(yīng)力大概為：52V左右。
留些余量一般D3選耐壓值為60V左右的二極管。
C3上的電壓為恒定的12V。
C3的電壓應(yīng)力為12V，一般選16V左右的電壓。
輸入電壓：Vin=AC176-264V
輸出電壓：Vout=12V
Vcc電壓：Vcc=15V
變壓器匝比：N
下面對上述圖片中的各個元器件進行應(yīng)力計算。
1、整流橋BR1
整流橋如上圖體內(nèi)由4個二極管構(gòu)成：d1，d2，d3，d4
應(yīng)最惡劣的情況下是在輸入電壓最高的時候，即，Vin=264Vac
所以C1上兩端的電壓373V。
輸入電壓波形如下圖
當(dāng)輸入電壓處于正半周時，BR1體內(nèi)二極管d1和d4導(dǎo)通不承受高電壓，d2和d3截止承受的高電壓，d2電壓應(yīng)力為b點電位減去c點電位，d3電壓應(yīng)力為a點電位減去d點電位。
正半周a、b、c、d點的電位相對于大電容地分別為：373V、373V、0V、0V
d2應(yīng)力=b-c=373V-0V=373V
d3應(yīng)力=a-d=373V-0V=373V
輸入電壓進入負(fù)半周時同理可得d1和d4的應(yīng)力為373V。
即整流橋BR1的工作應(yīng)力為373V
由于開關(guān)電源需要做雷擊浪涌試驗，所以一般整流橋都選擇1000V的整流橋。
2、輸入大電容C1
C1上的電壓應(yīng)力為輸入最高電壓264V交流電壓整流后的電壓。
所以C1的工作電壓應(yīng)力為：
264×1.414=373V
所以輸入電解電容C1一般選擇耐壓值為400V的電容。
3.開關(guān)mos管Q1
當(dāng)開關(guān)MOS管Q1開通時，Q1不承受大電壓。
當(dāng)開關(guān)MOS管Q1管關(guān)時，Q1承受大電壓應(yīng)力。
MOS管電壓應(yīng)力為：最高輸入電壓+反射電壓+漏感產(chǎn)生的尖峰電壓。
反射電壓一般為：60-120V
最高輸入電壓：373V
漏感尖峰電壓一般為：100左右
所以反激開關(guān)電壓開關(guān)管Q1的工作電壓應(yīng)力為：373+120+100=593V左右
留一定的余量一般選650V左右的MOS管
4.鉗位電路D1、R1、C2
當(dāng)Q1關(guān)斷時，鉗位二極管D1導(dǎo)通，向C2充電，C2兩端的充電電壓為Np兩端的電壓為：
反射電壓+尖峰電壓
假設(shè)反射電壓為：120V
尖峰電壓為：100V
則C2兩端的電壓為220V，上負(fù)下正。
C2下方的電位為：373+220=593V
C2下方宇D1負(fù)極相連，相當(dāng)于D1負(fù)極的電位也為593V左右，并且C2電容上電壓不能突變，所以D1負(fù)極電位相對文檔在593V左右。
當(dāng)Q1導(dǎo)通時，D1正極的電位此時為0V。
所以D1的應(yīng)力為負(fù)極電位減去正極電位為：593V
C2上方的電位為373V的恒定值
所以C2的電壓應(yīng)力為：593-373=220V左右
R1和C2為并聯(lián)，所以R1電壓應(yīng)力為220V左右
5、Vcc整流二極管D2
Vcc電壓為15V，反射電壓若為120V時，原邊主繞組與Vcc繞組的匝比為120÷15=8.
當(dāng)Q1關(guān)斷時，D2是導(dǎo)通的，此時D2不承受大電壓就一個二極管壓降。
當(dāng)Q1導(dǎo)通時，D2正極的電位為為負(fù)，數(shù)值為-（373÷8）=-46.625V。此時D2承受的電壓應(yīng)力為15-46.625=61.625
所以Vcc整流二極管D2的應(yīng)力大概為：62V左右。
留些余量一般D2選耐壓值為100V左右的二極管。
6、輸出整流二極管及電容D3、C3
輸出電壓為12V，反射電壓若為120V時，原邊主繞組與輸出繞組的匝比為120÷12=10.
當(dāng)Q1關(guān)斷時，D3是導(dǎo)通的，此時D3不承受大電壓就一個二極管壓降。
當(dāng)Q1導(dǎo)通時，D3正極的電位為為負(fù)，數(shù)值為-（373÷10）=-37.3V。此時D2承受的電壓應(yīng)力為15-37.3=52.3
所以Vcc整流二極管D3的應(yīng)力大概為：52V左右。
留些余量一般D3選耐壓值為60V左右的二極管。
C3上的電壓為恒定的12V。
C3的電壓應(yīng)力為12V，一般選16V左右的電壓。
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