直流穩壓電源高牢靠性元器材禁限用工藝是什么？
2017-10-2 12:29:31??????點擊：
因為直流穩壓電源高牢靠元器材要飽嘗環境嚴格應力，且有長時刻存儲和作業要求，一般用于重點工程。所以逐步構成了不同運用部分對直流穩壓電源電子元器材的禁用和限用結構、資料和工藝要求。非常值得相關人員重視。
一、禁用工藝
1、禁用焊接點、鍵合點導電膠掩蓋工藝。
導電膠會變形，會發作很大應力，拉斷鍵合絲；
掩蓋焊接、鍵合點缺點，構成危險。
2、禁用純錫、純鋅、純鉻資料。
這些資料易成長晶須（無重力、真空狀況尤甚），構成短路失效。鋅、鉻具有明顯升華物理特性，構成金屬膜，導致并聯電阻，影響光學元件透光率。
關于鉛錫焊料問題，我們要求鉛錫焊料（包含鉛錫銀焊料）中鉛含量應大于3%，這樣的狀況下才不會長晶須。
3、非剛性引線禁用電鍍鎳。
電鍍鎳性脆，彎折應力會使鍍鎳層脫落。
4、直流穩壓電源非密封元器材內外表禁用純銀資料。
直流穩壓電源非密封元器材內外表采用純銀資料會構成銀搬遷，銀搬遷導致短路失效。
銀搬遷性強，有些部分內層銀也操控運用（特別是高溫環境作業的長壽命直流穩壓電源元器材）
5、禁用金鋁、金錫直觸摸摸結構。
金鋁之間生成金鋁化合物，這種化合物性脆且高電阻率；“錫吃金”——金在錫中有較大的固溶度；
關于“金脆”：當錫中含有金的量在（3% 至19%） 會有“金脆”現象發作。當外引線鍍金厚度大于2.5μm時焊裝工藝要采納鍍錫工藝辦法。
6、直流穩壓電源無引線元器材（特別是陶瓷片式電容）禁用在無合理溫度熱渠道的條件下進行二次手藝焊接工藝。
這種焊接會發作很大的熱應力。
事例2012年某所為xx院供給的產品批次性失效，后查詢這種批次性失效就是由同一個焊盤采用了二次焊接組裝工藝構成的。
7、直流穩壓電源密封空腔元器材禁用干燥劑。
干燥劑會掩蓋有害剩余物；構成有害剩余物。
8、禁用無外表鈍化有源芯片。
有源芯片在沒有外表鈍化的時分，外表會吸附有害物質，影響電參數的穩定性。如漏電流、擊穿電壓。
9、直流穩壓電源長儲空腔密封元器材（電真空器材在外）禁用內腔真空結構。
沒有肯定的密封。“真空”意味著外部環境無法操控的氣領會進入內腔。特別是對長儲武器裝備。
10、禁用封裝后電鍍工藝。
封焊邊際微孔、盲孔吸附酸、堿等有害物質，構成腐蝕危險。長時刻作業后，會發作銹蝕、漏氣失效。
11、禁用長寬比不小于2的無引線外表安裝陶瓷電容。（陶瓷層厚度小于20微米的陶瓷電容）。
陶瓷電容是一片一片的，如果長寬比過于大的話，接受應力的才能會很弱。我們經歷過許多這種原因的失效。
12、禁用玻璃粘接芯片和玻璃熔封。
玻璃很脆，抗熱和機械應力功能差。
13、焊裝后的電路板禁用超聲清洗。
焊裝后的電路板里器材的距離絲的固有頻率有可能與超聲的頻率相近，然后發作共振，引起器材內線開裂。這是航天X院真實發作的比如。
二、限用工藝
1、直流穩壓電源元器材制作過程限用超聲清洗工藝。
國內外很多實踐證明：不適當的超聲清洗會誘發或擴展被洗部件的微缺點，特別是在銜接面上。
要求：給出超聲清洗工藝條件（如頻率、功率、時刻等）及充分的無害實驗數據。
2011年北京某廠產品PIND實驗不過關的辦法。源于管殼和不合理的超聲清洗工藝。
2、限用有機聚合資料。
降解發作有害氣體，應力開釋；低氣壓或真空有機聚合資料會分化、放氣、脹大影響器材牢靠性。
3、密封腔體內限用塑封直流穩壓電源元器材（部分航天工程列為禁用工藝）。
塑封直流穩壓電源元器材開釋有害氣體。
4、剛性構件限用電銜接壓接結構（部分航天工程列為禁用結構，國外宇航禁用）。
溫度對壓接結構面的觸摸電阻有較大影響。
5、限用倒裝芯片結構（部分航天工程列為禁用工藝）。
作為器材開展的趨勢，目前為止，最大的問題是沒有查驗每一銜接界面機械強度的手法。
6、限用梁式引線結構（部分航天工程列為禁用工藝）。
梁式引線結構的抗機械應力功能差。
7、限用鎳電極陶瓷片式電容器。
我們對這類產品還不太熟悉，我們還沒有很多的牢靠性數據積累。跟著技術開展，積累了很多牢靠性數據之后這類產品作為限用也可能會隨之撤銷。
8、抗輻照雙極器材限用離子注入、干法刻蝕和等離子清洗工藝。
這種工藝會發作外表微損害，然后發作微缺點。
一、禁用工藝
1、禁用焊接點、鍵合點導電膠掩蓋工藝。
導電膠會變形，會發作很大應力，拉斷鍵合絲；
掩蓋焊接、鍵合點缺點，構成危險。
2、禁用純錫、純鋅、純鉻資料。
這些資料易成長晶須（無重力、真空狀況尤甚），構成短路失效。鋅、鉻具有明顯升華物理特性，構成金屬膜，導致并聯電阻，影響光學元件透光率。
關于鉛錫焊料問題，我們要求鉛錫焊料（包含鉛錫銀焊料）中鉛含量應大于3%，這樣的狀況下才不會長晶須。
3、非剛性引線禁用電鍍鎳。
電鍍鎳性脆，彎折應力會使鍍鎳層脫落。
4、直流穩壓電源非密封元器材內外表禁用純銀資料。
直流穩壓電源非密封元器材內外表采用純銀資料會構成銀搬遷，銀搬遷導致短路失效。
銀搬遷性強，有些部分內層銀也操控運用（特別是高溫環境作業的長壽命直流穩壓電源元器材）
5、禁用金鋁、金錫直觸摸摸結構。
金鋁之間生成金鋁化合物，這種化合物性脆且高電阻率；“錫吃金”——金在錫中有較大的固溶度；
關于“金脆”：當錫中含有金的量在（3% 至19%） 會有“金脆”現象發作。當外引線鍍金厚度大于2.5μm時焊裝工藝要采納鍍錫工藝辦法。
6、直流穩壓電源無引線元器材（特別是陶瓷片式電容）禁用在無合理溫度熱渠道的條件下進行二次手藝焊接工藝。
這種焊接會發作很大的熱應力。
事例2012年某所為xx院供給的產品批次性失效，后查詢這種批次性失效就是由同一個焊盤采用了二次焊接組裝工藝構成的。
7、直流穩壓電源密封空腔元器材禁用干燥劑。
干燥劑會掩蓋有害剩余物；構成有害剩余物。
8、禁用無外表鈍化有源芯片。
有源芯片在沒有外表鈍化的時分，外表會吸附有害物質，影響電參數的穩定性。如漏電流、擊穿電壓。
9、直流穩壓電源長儲空腔密封元器材（電真空器材在外）禁用內腔真空結構。
沒有肯定的密封。“真空”意味著外部環境無法操控的氣領會進入內腔。特別是對長儲武器裝備。
10、禁用封裝后電鍍工藝。
封焊邊際微孔、盲孔吸附酸、堿等有害物質，構成腐蝕危險。長時刻作業后，會發作銹蝕、漏氣失效。
11、禁用長寬比不小于2的無引線外表安裝陶瓷電容。（陶瓷層厚度小于20微米的陶瓷電容）。
陶瓷電容是一片一片的，如果長寬比過于大的話，接受應力的才能會很弱。我們經歷過許多這種原因的失效。
12、禁用玻璃粘接芯片和玻璃熔封。
玻璃很脆，抗熱和機械應力功能差。
13、焊裝后的電路板禁用超聲清洗。
焊裝后的電路板里器材的距離絲的固有頻率有可能與超聲的頻率相近，然后發作共振，引起器材內線開裂。這是航天X院真實發作的比如。
二、限用工藝
1、直流穩壓電源元器材制作過程限用超聲清洗工藝。
國內外很多實踐證明：不適當的超聲清洗會誘發或擴展被洗部件的微缺點，特別是在銜接面上。
要求：給出超聲清洗工藝條件（如頻率、功率、時刻等）及充分的無害實驗數據。
2011年北京某廠產品PIND實驗不過關的辦法。源于管殼和不合理的超聲清洗工藝。
2、限用有機聚合資料。
降解發作有害氣體，應力開釋；低氣壓或真空有機聚合資料會分化、放氣、脹大影響器材牢靠性。
3、密封腔體內限用塑封直流穩壓電源元器材（部分航天工程列為禁用工藝）。
塑封直流穩壓電源元器材開釋有害氣體。
4、剛性構件限用電銜接壓接結構（部分航天工程列為禁用結構，國外宇航禁用）。
溫度對壓接結構面的觸摸電阻有較大影響。
5、限用倒裝芯片結構（部分航天工程列為禁用工藝）。
作為器材開展的趨勢，目前為止，最大的問題是沒有查驗每一銜接界面機械強度的手法。
6、限用梁式引線結構（部分航天工程列為禁用工藝）。
梁式引線結構的抗機械應力功能差。
7、限用鎳電極陶瓷片式電容器。
我們對這類產品還不太熟悉，我們還沒有很多的牢靠性數據積累。跟著技術開展，積累了很多牢靠性數據之后這類產品作為限用也可能會隨之撤銷。
8、抗輻照雙極器材限用離子注入、干法刻蝕和等離子清洗工藝。
這種工藝會發作外表微損害，然后發作微缺點。
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