直流穩(wěn)壓電源MOS最常損壞5種模式詳解
2017-7-11 9:22:55??????點擊：
【直流穩(wěn)壓電源MOS最常損壞5種模式詳解】雪崩破壞、直流穩(wěn)壓電源器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置直流穩(wěn)壓電源二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞
第一種：雪崩破壞
如果在漏極-源極間外加超出直流穩(wěn)壓電源器件額定VDSS的電涌直流穩(wěn)壓電源電壓，而且達(dá)到擊穿直流穩(wěn)壓電源電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿直流穩(wěn)壓電源電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。
在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運行斷開時產(chǎn)生的回掃直流穩(wěn)壓電源電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰直流穩(wěn)壓電源電壓超出功率直流穩(wěn)壓電源MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。
典型直流穩(wěn)壓電源電路：
第二種：直流穩(wěn)壓電源器件發(fā)熱損壞
由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流穩(wěn)壓電源功率和瞬態(tài)功率兩種。
直流穩(wěn)壓電源功率原因：外加直流穩(wěn)壓電源功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱
●導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，導(dǎo)致一定直流穩(wěn)壓電源電流下，功耗增加）
●由漏直流穩(wěn)壓電源電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極?。?/span>
瞬態(tài)功率原因：外加單觸發(fā)脈沖
●負(fù)載短路
●開關(guān)損耗（接通、斷開） *（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）
●內(nèi)置直流穩(wěn)壓電源二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗）（與溫度和工作頻率是相關(guān)的）
直流穩(wěn)壓電源器件正常運行時不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過直流穩(wěn)壓電源電流，造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外，由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。
第三種：內(nèi)置直流穩(wěn)壓電源二極管破壞
在DS端間構(gòu)成的寄生直流穩(wěn)壓電源二極管運行時，由于在Flyback時功率直流穩(wěn)壓電源MOSFET的寄生雙極晶體管運行，
導(dǎo)致此直流穩(wěn)壓電源二極管破壞的模式。
第四種：由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞
此破壞方式在并聯(lián)時尤其容易發(fā)生
在并聯(lián)功率直流穩(wěn)壓電源MOS FET時未插入柵極電阻而直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開漏極-源極直流穩(wěn)壓電源電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振直流穩(wěn)壓電源電路上發(fā)生此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時，在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動直流穩(wěn)壓電源電壓Vgs(in)的振動直流穩(wěn)壓電源電壓，由于超出柵極-源極間額定直流穩(wěn)壓電源電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間直流穩(wěn)壓電源電壓時的振動直流穩(wěn)壓電源電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。
第五種：柵極電涌、靜電破壞
主要有因在柵極和源極之間如果存在直流穩(wěn)壓電源電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過直流穩(wěn)壓電源電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞
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